据麦沄显示公众号消息，企业已实现micro IC、micro LED的异质构成并成功点亮，预计到2025年底，将实现2000kk的MIP和500kk的D-MIP月产能释放。
麦沄显示表示，针对AR应用的micro LED近眼显示技术，由于其像素密度高（PPI>3000），因此只能采用Si-CMOS驱动背板对micro LED发光像素进行驱动。
而针对屏幕尺寸更大的中、低像素密度（PPI<600）的显示应用，12英寸的Si-CMOS背板则因成本昂贵而无法使用，从而出现了在大型玻璃基板（G10.5约10m²）上制作薄膜晶体管TFT的技术，此类通过低温多晶硅LTPS或者金属氧化物IGZO工艺制备的TFT器件，电子迁移率较低，在驱动micro LED发光芯片时也遇到全新的严峻挑战。
为了解决上述问题，micro LED行业出现了一种全新范式——基于Si-CMOS的微驱动芯片( micro IC) ，利用巨量转移技术，即可将micro LED发光芯片和micro IC一齐转移到目标载板上，这类单晶硅制程制备的CMOS器件在驱动micro LED发光芯片时比TFT器件有更好的性能表现。
今年年2月，麦沄显示开发出首款百微米以内的micro IC基础上，结合其数年开发MIP芯片所积累的巨量转移和先进封装工艺经验，率先实现micro IC和micro LED的异质构成并已成功点亮。据了解，此类带驱动的MIP芯片（Driver-MIP）完成了MIP作为被动器件往主动器件的升级，打破过往LED显示只能应用在商业、专业显示领域的限制，为micro LED在消费应用场景开辟了一条全新路径。据了解，麦沄显示成立于2020年，目前已在昆山建成一条涵盖micro LED芯片、巨量转移和先进封装中试线，其开发的MIP芯片已通过全球最大的半导体显示厂商的前期验证，陆续在美国SID，北京IPC展出各类micro LED终端显示产品。产品方面，麦沄显示已开发出基于扇出式封装的03MIP，02MIP，015MIP系列，采用TGV工艺的03MIP，以及采用量子点色转换的02MIP系列产品，可为不同客户群体提供各类差异化MIP芯片。技术方面，麦沄显示在做积极的研究和相关专利布局。今年7月，麦沄显示先后申请垂直LED芯片结构及制作方法专利以及集成micro IC的像素芯片结构专利。
据悉，垂直LED芯片结构及制作方法专利申请公开了一种垂直LED芯片结构及制作方法，包括导电衬底；所述导电衬底下设有背面金属层；所述导电衬底上设有键合金属层；所述键合金属层上设有反射键合金属层；所述反射键合金属层上有欧姆接触金属层；所述欧姆接触金属层上设有钝化绝缘层；所述钝化绝缘层上设有外延材料层；所述外延材料层上设有绝缘保护层；所述绝缘保护层上设有金属手指及焊盘电极本申请利用巨量转移技术和先进封装技术，用micro LED芯片制作传统尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊线过程中对芯片无损伤；同时垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解决了现有技术中存在的技术问题，提高了生产效率，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
集成micro IC的像素芯片结构专利申请公开了一种集成micro IC的像素芯片结构及制作方法，包括透明基板、二次引线、带驱动的micro像素器件、二次绝缘保护层和固晶电极；所述透明基板中部设置所述带驱动的micro像素器件；且所述透明基板通过二次引线连接所述带驱动的micro像素器件；所述带驱动的micro像素器件设置在所述二次绝缘保护层内；所述带驱动的micro像素器件四周外设有所述固晶电极；所述固晶电极一端与二次引线连接，另一端显露在外；本申请通过对芯片结构的重新设计和布局以及提供相应的制作方法，利用巨量转移技术和先进封装技术，把micro IC和micro LED集成封装成一个独立器件，适用于传统的固晶作业方式，很好的解决了现有技术中存在的技术问题，满足了企业生产需求，提升了企业竞争力。
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